Эпитаксия, молекулярно-пучковая

Эпитаксия, молекулярно-пучковая  (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума.

Позволяет выращивать гетеро структуры заданной толщины с моно атомно гладкими гетеро границами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарно гладкой поверхностью.

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]

Эпитаксия, молекулярно-лучевая (molecular beam epitaxy) — процесс получения монокристаллической пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исходного(ых) материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1. Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.
2. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например, используя арсенид индия InAsn подложку из арсенида галлия GaAs, получают структуры размером в нанодиапазоне.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]