Технология молекулярно-лучевой эпитаксии

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии — в основе метода лежит осаждение испаренного в молекулярном источнике вещества на кристаллическую подложку. Несмотря на достаточно простую идею, реализация данной технологии требует чрезвычайно сложных технических решений. Основные требования к установке эпитаксии следующие:

1) В рабочей камере установки необходимо поддерживать сверхвысокий вакуум (около 10 −8 Па).

2) Чистота испаряемых материалов должна достигать 99,999999 %.

3)Необходим молекулярный источник, способный испарять тугоплавкие вещества с возможностью регулировки плотности потока вещества. Особенностью эпитаксии является невысокая скорость роста пленки (обычно менее 1000 нм в час).

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]