Тиснение; импринтинг (embossing; imprinting) — процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком в слой обрабатываемого материала.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление анизотропное (anisotropic etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий в вертикальном направлении со скоростью выше, чем в горизонтальном направлении.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление жидкостное (wet etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление избирательное (selective etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных участках поверхности с различным химическим составом.

Пример. Водные растворы под воздействием высокочастотных электромагнитных полей удаляют с подложки оксид кремния SiO и не удаляют кремний.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление изотропное (isotropic etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление индуктивно связанной плазмой; ТИСП (inductive coupled plasma; ICP)  — плазменное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление ионно-лучевое; ионно-лучевое фрезерование (ion beam etching; ion beam milling) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, полученным с помощью источника плазмы.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление криогенное (cryogenicetching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже, при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание. Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объек

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление кристаллографическое (crystallographic etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по различным кристаллографическим направлениям.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление плазменное (plasma etching) — сухое травление компонентами плазмы — ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в газовой среде.

Примечания.

1. К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами, в который помещают материал, подлежащий травлению.
2. В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]