Травление криогенное (cryogenicetching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже, при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание. Температура 163 К или ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объек

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление кристаллографическое (crystallographic etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по различным кристаллографическим направлениям.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление плазменное (plasma etching) — сухое травление компонентами плазмы — ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда в газовой среде.

Примечания.

1. К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами, в который помещают материал, подлежащий травлению.
2. В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление по трекам излучения (radiation track etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами.

Пример. Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление реактивное ионное; РИТ (reactive ion etching; RIE) — плазменное травление потоком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряжения, возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена подложка, высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.

Примечание. Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением, которое относят к изотропным процессам травления, РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление реактивное ионное, глубокое; ГРИТ (deep reactive ion etching; DRIE) — процесс анизотропного травления, применяемый для получения на подложке структур, элементы которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.

Пример — Отверстия и канавки с вертикальными стенками.

Примечание. К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление и криогенное травление.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление световым излучением; фотохимическое травление (light-assisted etching; photochemical etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым излучением.

Примечание. Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление сухое (dry-etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки с применением частично ионизированных газов.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление физическое; травление распылением (physical etching; sputter etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).

Примечание. Физическое травление относят к анизотропным и неизбирательным процессам травления.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление фокусированным ионным пучком; ТФИП (focused ion-beametching; FIB — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокусированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.

Примечания

1. Травление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздействуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.
2. ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]