Электроосаждение (electrodeposition) — процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Электропрядение (electrospinning) — процесс вытягивания волокон из исходного жидкого материала под действием сил электрического поля.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Электрораспыление (electro-spray) — процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к которому приложено напряжение.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Энзимы — существующие в природе молекулярные машины, сделанные из белка и способные катализировать химические реакции.

[Машины создания: Грядущая эра нанотехнологий. К. Эрик Дрекслер, Марвином Мински, издательство Энкор Букс (AnchorBooks), 1987 г.]

Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным:каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий.

Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы.

Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией.

Эпитаксия особенно легко осуществляется, если разность постоянных кристаллических решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия.

Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.

Типы эпитаксии

1. Молекулярно-пучковая эпитаксия.
2. Газофазная эпитаксия.
3. Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы.
4. Жидкофазная эпитаксия.
5. Топохимические процессы.

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]

Эпитаксия газофазная— получение эпитаксиальных плёнок полупроводника путём осаждения из парогазовой фазы. Существует два основных метода получения эпитаксиальных плёнок кремния из парогазовой фазы:

1. восстановление тетра хлорида кремния
2. пиролитическое разложение моносилана

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]

Эпитаксия, молекулярно-пучковая  (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума.

Позволяет выращивать гетеро структуры заданной толщины с моно атомно гладкими гетеро границами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарно гладкой поверхностью.

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]

Эпитаксия, молекулярно-лучевая (molecular beam epitaxy) — процесс получения монокристаллической пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исходного(ых) материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1. Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.
2. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например, используя арсенид индия InAsn подложку из арсенида галлия GaAs, получают структуры размером в нанодиапазоне.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Эффект безызносности (избирательный перенос при трении) — возникает в результате протекания химических и физических процессов на поверхности контактирующих тел, приводящих к образованию на них самоорганизующихся систем толщиной около 100 нм, которые обеспечивают автокомпенсацию износа и снижение коэффициента трения.

[Машины создания: Грядущая эра нанотехнологий. К. Эрик Дрекслер, Марвином Мински, издательство Энкор Букс (AnchorBooks), 1987 г.]

Эффект масштабный (англ. indentationsizeeffect) — явление, заключающееся в росте твердости при низких и сверхнизких усилиях внедрения индентора (около мкН), которые приводят к образованию отпечатков нанометровой глубины. При нагрузках ниже некоторых критических (зависящих от природы материала, температуры, формы индентора и т.д.) практически все материалы начинают демонстрировать в контакте упругое поведение.

[Машины создания: Грядущая эра нанотехнологий. К. Эрик Дрекслер, Марвином Мински, издательство Энкор Букс (AnchorBooks), 1987 г.]

Эффект Мейснера — полное вытеснение магнитного поля из материала при переходе в сверхпроводящее состояние. Впервые явление наблюдалось в 1933 году немецкими физиками Мейснером и Оксенфельдом. Демонстрация эффекта Мейснера:

а — Показаны линии магнитного поля и их вытеснение из сверхпроводника, находящегося ниже своей критической температуры,

б — левитация магнита над сверхпроводником, охлаждённым жидким азотом

Всё это в принципе открыло широчайшие возможности для практического применения сверхпроводимости. Однако на пути к реализации этих идей длительное время существовала непреодолимая преграда — крайне низкая температура перехода в СП состояние, называемая критической температурой (Т с). В 1986г. Беднорц и Мюллер обнаружили способность керамики на основе оксидов меди, лантана и бария (La 2-x Ba x CuO 4) переходить в СП состояние при 30K.

[Нано химия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]