Травление по трекам излучения (radiation track etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами.

Пример. Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление реактивное ионное; РИТ (reactive ion etching; RIE) — плазменное травление потоком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряжения, возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена подложка, высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.

Примечание. Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением, которое относят к изотропным процессам травления, РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление реактивное ионное, глубокое; ГРИТ (deep reactive ion etching; DRIE) — процесс анизотропного травления, применяемый для получения на подложке структур, элементы которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.

Пример — Отверстия и канавки с вертикальными стенками.

Примечание. К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление и криогенное травление.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление световым излучением; фотохимическое травление (light-assisted etching; photochemical etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым излучением.

Примечание. Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление сухое (dry-etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки с применением частично ионизированных газов.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление физическое; травление распылением (physical etching; sputter etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).

Примечание. Физическое травление относят к анизотропным и неизбирательным процессам травления.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление фокусированным ионным пучком; ТФИП (focused ion-beametching; FIB — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокусированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.

Примечания

1. Травление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздействуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.
2. ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление химическое (chemical etching) — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки под действием химических веществ.

Примечание. В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газообразные (сухое травление) химические вещества.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Травление химическое, ионно-лучевое — процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки пучком ионов химически активного газа.

[ГОСТР 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Транспорт активный (Active Transport) — перенос вещества через  клеточную  или внутриклеточную  мембрану (трансмембранный  активный транспорт) или через слой клеток (трансцеллюлярный активный транспорт),      протекающий       против концентрационного  или электрохимического градиента, т. е. с затратой     свободной энергии организма. В большинстве случаев, но не всегда, источником энергии служит энергия макроэргических связей АТФ.

[В. В. Арсланов. Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии, М.: ИФХЭ РАН, 2009. — 261 c]