Научные конференции
ISSN: 2587-9413 терминов, определений и пояснений строительных материалов

Сайт премиии им. Гришманова И.А.  Вестник науки и образования Северо-Запада России  Конкурс имени Ивана Федорова

Основные строительные материалы
Сопутствующие теме термины и определения
Последнее обновление энциклопедии: 09.07.2026 - 16:50

Наноматериалы/nanomaterial

Микроскопия сканирующая, зондовая

Микроскопия сканирующая, зондовая (scanning probe microscopy) — метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта путем механического перемещения зонда и регистрации взаимодействия между зондом и поверхностью объекта.

Примечания

  1. Термин «сканирующая зондовая микроскопия» является общим термином для таких понятий, как «атомно силовая микроскопия» (АСМ), «сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля» (СОМБП), «сканирующая микроскопия ионной проводимости» (СМИП) и «сканирующая туннельная микроскопия» (СТМ).
  2. С помощью микроскопов, применяемых в различных методах СЗМ, можно получать изображения объектов с пространственным разрешением от атомарного, например в СТМ, до 1 мкм, например в сканирующей термо-микроскопии.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия сканирующая, оптическая ближнего поля

Микроскопия сканирующая, оптическая ближнего поля; СОМБП; ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия; БСОМ (near-field scanning optical microscopy; NSOM; scanning near-field optical microscopy; SNOM) — метод исследования объекта с помощью светового микроскопа, формирующего изображение объекта путем регистрации взаимодействия электромагнитного поля между объектом и оптическим зондом, сканирующим его поверхность, радиус острия которого меньше длины излучаемой световой волны.

Примечания

  1. Зонд микроскопа размещают вблизи поверхности исследуемого объекта и удерживают на постоянном расстоянии. Зонд совершает колебательное движение параллельно поверхности объекта, при этом регистрируют изменения амплитуды и фазы отраженных сигналов и получают информацию о рельефе поверхности объекта.
  2. Размер оптического зонда микроскопа зависит от размера отверстия (апертуры) диафрагмы, расположенной на конце зонда. Отверстие диафрагмы имеет размеры в диапазоне от 10 до 100 нм, что и определяет разрешающую способность микроскопа. В зависимости от наличия или отсутствия диафрагмы на конце зонда СОМБП разделяют на апертурные и безапертурные. В безапертурном СОМБП зонд представляет собой заостренное оптическое волокно, покрытое слоем металла, с радиусом на конце от 10 до 100 нм.
  3. С помощью СОМБП получают не только растровое изображение объекта, но и информацию о характеристиках рельефа его поверхности, аналогичные тому, которые можно получить с помощью АСМ и других методов зондовой микроскопии.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия туннельная, сканирующая

Микроскопия туннельная, сканирующая (scanning tunnelling microscopy) —  применяемая для исследования рельефа поверхности объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение путем регистрации данных о туннелировании носителей заряда сквозь промежуток между исследуемым токопроводящим объектом и сканирующим его поверхность токопроводящим зондом.

Примечания.

  1. С помощью СТМ можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах, исследовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца и кривизны острия зонда и получать информацию о плотности состояний атомов поверхности объекта.
  2. Изображения могут быть сформированы на основе данных о высоте рельефа поверхности объекта при постоянных значениях туннельного тока или о туннельном токе при постоянных значениях высоты рельефа поверхности объекта, а также на основе других данных в зависимости от режимов взаимодействия зонда и поверхности исследуемого объекта.
  3. С помощью СТМ можно получить информацию о локальной туннельной проводимости (туннельной плотности состояний) исследуемого объекта. Следует учитывать, что при изменении положения зонда относительно поверхности объекта получают отличные друг от друга изображения рельефа одной и той же поверхности.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нано технологии. Часть 6. Характеристики нано объектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия флуоресцентная

Микроскопия флуоресцентная (Fluorescence microscopy) — метод исследования объекта с помощью светового микроскопа, формирующего изображение объекта путем регистрации испускаемой им флуоресценции.

Примечания.

  1. В данном методе применяют микроскоп, в котором для возбуждения флуоресценции объекта предусмотрен источник света, а длина волны, испускаемой объектом флуоресценции, всегда больше длины волны света возбуждения. Для разделения света возбуждения и испускаемой объектом флуоресценции в микроскопе предусмотрены специальные фильтры.
  2. К методам флуоресцентной микроскопии относят эпифлуоресцентную микроскопию, конфокальную микроскопию, флуоресцентную микроскопию полного внутреннего отражения (ФМПВО) и микроскопию сверхвысокого разрешения.
  3. В данном методе для исследования объектов применяют флуоресцирующие красители. Для объектов, демонстрирующих при облучении автофлуоресценцию, красители не требуются.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нано технологии. Часть 6. Характеристики нано объектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия флуоресцентная, полного внутреннего отражения

Микроскопия флуоресцентная, полного внутреннего отражения (total internal reflection fluorescence microscopy) — метод исследования объекта с помощью светового микроскопа, формирующего изображение объекта путем регистрации испускаемой им флуоресценции, возбуждаемой затухающей волной в тонком пограничном слое раздела двух сред с разными показателями преломления.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия электронная

Микроскопия электронная — метод исследования структуры ве­щества в интервале размеров 10-4 — 10-8 см с помощью электрон­ного микроскопа.

[Писаренко В. В. Справочник лаборанта-химика. Учебное пособие/ -М.: 1970]

Микроскопия электронная, просвечивающая

Микроскопия электронная, просвечивающая (transmission electron microscopy) — метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или его дифракционной картины электронным пучком (электронным зондом), проходящим сквозь этот объект и взаимодействующим с ним.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия электронная, просвечивающая растровая

Микроскопия электронная, просвечивающая растровая (scanning transmission electron microscopy) — метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или его дифракционной картины сфокусированным электронным пучком (электронным зондом), проходящим сквозь этот объект и взаимодействующим с ним.

Примечания.

  1. Диаметр сфокусированного электронного пучка (электронного зонда) должен быть менее 1 нм.
  2. С помощью ПРЭМ получают изображение поверхности и внутренней микроструктуры тонких образцов [или мелких частиц] объекта с высоким разрешением, а также исследуют особенности химических и структурных характеристик участков микронных или субмикронных размеров объекта путем регистрации, например спектров рентгеновского излучения, и формирования дифракционной картины.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия электронная, растровая

Микроскопия электронная, растровая (Нрк. сканирующая электронная микроскопия; СЭМ) (scanning electron microscopy; SEM) — метод исследования структуры, состава и формы объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта путем сканирования его поверхности электронным зондом (электронным пучком) и регистрации характеристик вторичных процессов, индуцируемых электронным зондом (например, вторичная электронная эмиссия, обратное рассеяние электронов и рентгеновское излучение).

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения]

Микроскопия эллипсометрическая, с усилением контраста изображения

Микроскопия эллипсометрическая, с усилением контраста изображения (surface enhanced ellipsometric contrast microscopy) — метод исследования объекта с помощью светового микроскопа с широкоугольной оптической системой, формирующего изображение путем усиления контраста изображения объекта скрещенными поляризаторами, позволяющими фиксировать отраженный от объекта свет и блокировать отраженный свет от подложки или предметного стекла.

Примечание. В микроскопе применяют специальные антиотражающие подложки, усиливающие контраст изображения и улучшающие разрешающую способность микроскопа в 100 раз.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нано технологии. Часть 6. Характеристики нано объектов и методы их определения. Термины и определения]