Осаждение физическое из газовой фазы; ФОГФ (physical vapour deposition; PVD) — процесс нанесения покрытия испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в условиях вакуума.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение фокусированным ионным пучком; ОФИП (focusedion-beamdeposition; FIB) — химическое осаждение из газовой фазы с применением фокусированного потока ионов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

Примечание. ОФИП применяют, например, для осаждения газообразного карбонила вольфрама W(CO). В вакуумной камере под воздействием ионного пучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и нелетучие компоненты; нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на подложку. ОФИП применяют также для осаждения других металлических материалов, например платины. Осажденный таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты объекта от разрушающего воздействия ионного пучка.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП (focusedelectron-beamdeposition) — химическое осаждение из газовой фазы с применением фокусированного (концентрированного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение химическое из газовой фазы (chemicalvapourdeposition) — процесс получения пленок или порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013. Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение химическое каталитическое из газовой фазы; КХОГФ (catalytic chemical vapour deposition; CCVD) — процесс ХОГВ, основанный на термическом разложении газообразных веществ с применением катализатора.

Примечания.

1. Процесс КХОГФ применяют для получения углеродных нанотрубок из исходных углеводородных материалов (например, метан) с использованием катализаторов, например, железо Fe, никель Ni или кобальт Co.
2. Термин «каталитическое химическое осаждение из газовой фазы» относят к терминам, обозначающим процессы катализа.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение центробежное (spincoating) — процесс получения пленки осаждением из жидкого исходного материала твердой дисперсный* фазы на вращающуюся подложку под действием центробежных сил.

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Осаждение частиц в жидкости, центробежное;  дифференциальное центрифугирование; ДЦ (centrifugal liquid sedimentation; CLS; differential centrifugal sedimentation; DCS) — метод разделения частиц жидкости в зависимости от их размеров и плотности под действием центробежных сил в сепарирующем роторе центрифуги.

Примечание. В зависимости от плотности частиц с помощью ЦОЖ можно выделить частицы размером от 2 нм до 10 мкм для дальнейшего определения их размеров и распределения частиц по размерам. ЦОЖ обеспечивает одновременное выделение частиц, отличающихся друг от друга по размерам не более чем на 2%.

[ГОСТ Р 56647-2015/ISO/TS 80004-6:2013. Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нано объектов и методы их определения. Термины и определения]

Осаждение электроискровое (electro-spark deposition) — процесс получения покрытий импульсно-дуговой микросваркой, основанный на изменении физико-химических свойств поверхности под воздействием импульсных искровых разрядов, сопровождаемых отделением от обрабатывающего электрода вещества и переходом его на обрабатываемую поверхность (катод).

[ГОСТ Р 56662-2015/ISO/TS 80004-8:2013 Нанотехнологии. Часть 8. Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения]

Основными закономерностями образования нанокристаллических частиц методом испарения и конденсации являются следующие:

1. Образование наночастиц происходит при охлаждении пара в зоне конденсации, которая тем больше, чем меньше давление газа; внутренняя граница зоны конденсации находится вблизи испарителя, а ее внешняя граница по мере уменьшения давления газа может выйти за пределы реакционного сосуда; при давлении, равном нескольким сотням Па, внешняя граница зоны конденсации находится внутри реакционной камеры диаметром, не меньшим 0,1 м, и в процессе конденсации существенную роль играют конвективные потоки газа.

2. При увеличении давления газа до нескольких сотен Па средний размер частиц сначала быстро увеличивается, а затем медленно приближается к предельному значению в области давлений более 2500 Па.
3. При одинаковом давлении газа переход от менее плотного инертного газа к более плотному, сопровождается ростом размера частиц в несколько раз, например, от гелия к ксенону.

[Нанохимия. Князев А.В., Кузнецова Н.Ю. Электронное учебное пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. – 102 с]